کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542313 | 1450488 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogenic impurity in zinc-blende GaN/AlGaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Within the framework of effective-mass approximation, we have calculated the binding energy of a hydrogenic donor impurity in a zinc-blende (ZB) GaN/AlGaN cylindrical quantum dot (QD) using a variational procedure. It is found that the donor binding energy is highly dependent on the impurity position and QD size. The donor binding energy EbEb is largest when the impurity is located at the center of the QD. The donor binding energy is decreased when the QD height (radius) is increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 663–666
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 663–666
نویسندگان
Congxin Xia, Fengchun Jiang, Shuyi Wei, Xu Zhao,