کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423133 | 1507951 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical etchant dependence of surface structure and morphology on GaN(0001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Chemical etchant dependence of surface structure and morphology on GaN(0001) substrates Chemical etchant dependence of surface structure and morphology on GaN(0001) substrates](/preview/png/5423133.png)
چکیده انگلیسی
We studied the procedure of cleaning GaN(0001) substrate surfaces by wet etching and subsequent annealing in ultrahigh vacuum for two different types of freestanding GaN wafers: hydride vapor phase epitaxy (HVPE) crystal and Na flux liquid phase epitaxy (LPE) crystal wafers. A flat surface containing GaN(0001)2 Ã 2 reconstruction was successfully achieved on both HVPE and LPE surfaces by etching in HF and subsequent annealing at â¼Â 550 °C but was not achieved by etching in HCl, NaOH, and HNO3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 15â16, 15 August 2010, Pages 1247-1253
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 15â16, 15 August 2010, Pages 1247-1253
نویسندگان
Azusa N. Hattori, Fumio Kawamura, Masashi Yoshimura, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori, Ken Hattori, Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo,