کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423133 | 1507951 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical etchant dependence of surface structure and morphology on GaN(0001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We studied the procedure of cleaning GaN(0001) substrate surfaces by wet etching and subsequent annealing in ultrahigh vacuum for two different types of freestanding GaN wafers: hydride vapor phase epitaxy (HVPE) crystal and Na flux liquid phase epitaxy (LPE) crystal wafers. A flat surface containing GaN(0001)2 Ã 2 reconstruction was successfully achieved on both HVPE and LPE surfaces by etching in HF and subsequent annealing at â¼Â 550 °C but was not achieved by etching in HCl, NaOH, and HNO3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 15â16, 15 August 2010, Pages 1247-1253
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 15â16, 15 August 2010, Pages 1247-1253
نویسندگان
Azusa N. Hattori, Fumio Kawamura, Masashi Yoshimura, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori, Ken Hattori, Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo,