کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542334 | 1450488 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Prospective development in diffusion barrier layers for copper metallization in LSI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The most recent development together with some challenging opportunities on barrier layers for copper metallization has been reviewed. This review study mainly focuses on the technology trends in interconnect metallization, with emphasis on barrier layer materials, mechanism that dominates diffusion in barrier layer materials, and promising candidate barrier layers for copper metallization in LSIs. The applicability of different materials as diffusion barriers in copper-based interconnects has also been assessed for practical usage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 777–782
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 777–782
نویسندگان
H.Y. Wong, N.F. Mohd Shukor, N. Amin,