کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423438 | 1507933 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of substrate temperature on growth of para-sexiphenyl thin films on Ir{111} supported graphene studied by LEEM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Para-sexiphenyl growth on graphene and Ir was observed in real time using LEEM. ⺠The structure of individual 6P features was analyzed using μLEED. ⺠At 320 K and 352 K Stranski-Krastanov growth of flat lying 6P is found on graphene. ⺠Islands formed by upright standing molecules are found on Ir(111). ⺠At 405 K only propagation of upright 6P islands, nucleated at graphene rims on Ir.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 3â4, February 2012, Pages 475-480
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 3â4, February 2012, Pages 475-480
نویسندگان
Fawad S. Khokhar, Gregor Hlawacek, Raoul van Gastel, Harold J.W. Zandvliet, Christian Teichert, Bene Poelsema,