کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424015 | 1395811 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of boron nitride on a Rh(1Â 1Â 1) multilayer system: Formation and fine tuning of a BN-nanomesh
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The epitaxial growth of boron nitride on the surface of a Rh-YSZ-Si(1Â 1Â 1) multilayer system by CVD of borazine (HNBH)3 was investigated by low energy electron diffraction (LEED). The formation of a (14Â ÃÂ 14) h-BN on (13Â ÃÂ 13) Rh-YSZ-Si(1Â 1Â 1) superstructure was observed, which is different in size from an already reported (13Â ÃÂ 13) h-BN on (12Â ÃÂ 12) Rh(1Â 1Â 1) superstructure grown on a Rh(1Â 1Â 1) single crystal substrate (“h-BN-nanomesh”). We found hints that differences between the thermal expansion behaviour of the multilayer substrates and the single crystal substrate can be the reason for the formation of different sized superstructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 3, 1 February 2009, Pages 425-432
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 3, 1 February 2009, Pages 425-432
نویسندگان
Frank Müller, Stefan Hüfner, Hermann Sachdev,