کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424036 | 1395811 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surfaces Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surfaces](/preview/png/5424036.png)
چکیده انگلیسی
Ordered nanofacet structures on vicinal 6H-SiC(0 0 0 1) surfaces, consisting of pairs of a (0 0 0 1) basal plane and a (112¯n) facet, are investigated in terms of stable surface stacking of the (0 0 0 1) basal planes. The surface termination of S3 (or S3*), i.e., ABC (or A*C*B*), was suggested by a structural model based on quantized step-bunching, which typically gives a one-unit-cell bunched step configuration at the (112¯n) facet. Here, we evaluate the surface termination at basal planes covered with a layer of silicon oxynitride by means of quantitative low-energy electron diffraction (LEED) analysis combined with scanning tunneling microscopy (STM), and show the validity of the structural model proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 3, 1 February 2009, Pages 566-570
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 3, 1 February 2009, Pages 566-570
نویسندگان
Kenjiro Hayashi, Kouhei Morita, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara, Satoru Tanaka,