کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424053 | 1395812 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra thin V2O3 films grown on oxidized Si(1Â 1Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of V2O3(0Â 0Â 0Â 1) has been investigated by scanning tunnelling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Direct evaporation of vanadium onto the Si(1Â 1Â 1)-7Â ÃÂ 7 substrate gives rise to massive surface intermixing and consequent silicide formation. In order to obtain the vanadium oxide with good quality, the 7Â ÃÂ 7 surface was initially partially oxidized which leads to a smooth oxygen-silicon surface layer which in turn prevents a complete vanadium-silicon alloy formation. Finally a vanadium oxide film of V2O3 stoichiometry was created. The grown film exposes single crystalline areas of stepped surfaces which appear azimuthally randomly-oriented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 17, 1 September 2009, Pages 2721-2724
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 17, 1 September 2009, Pages 2721-2724
نویسندگان
F. Stavale, H. Niehus, C.A. Achete,