کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542415 | 871553 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal characterisation of power devices during transient operation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal characterisation of power devices during transient operation Thermal characterisation of power devices during transient operation](/preview/png/542415.png)
چکیده انگلیسی
An experimental infrared method for the thermal characterisation of semiconductor devices during fast transient operation, in the range from a few microseconds and up to some milliseconds, is presented. The features which make it suitable and convenient, particularly for use with power electronics applications are pointed out; its time and space resolution are illustrated by means of properly chosen examples. The considered solution qualifies as a very versatile and powerful tool in many diverse lines of investigation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 2, February 2006, Pages 145-151
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 2, February 2006, Pages 145-151
نویسندگان
Alberto Castellazzi, Martin Honsberg-Riedl, Gerhard Wachutka,