کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424337 | 1395820 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
As3d core level studies of (GaMn)As annealed under As capping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The surface of a Ga0.95Mn0.05As layer subjected to low temperature annealing under As capping has been studied by core level photoemission with focus on As3d spectrum. By detailed comparison with the surface of pure GaAs subjected to the same surface treatment, the As spectral component of the reacted surface layer has been identified. The relative intensity of this component is consistent with the notion of an MnAs monolayer terminating the annealed (GaMn)As surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issue 2, 15 January 2010, Pages 125-128
Journal: Surface Science - Volume 604, Issue 2, 15 January 2010, Pages 125-128
نویسندگان
I. Ulfat, J. Adell, J. Sadowski, L. Ilver, J. Kanski,