![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
High temperature thermal stability of the HfO2/Ge (100) interface as a function of surface preparation studied by synchrotron radiation core level photoemission
Keywords: عکسبرداری سطح هسته; ALD HfO2; Germanium; Core level photoemission; Post deposition; Annealing;