کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424345 | 1395820 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Secondary electron yield enhancement by MgO capping layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Electron emission - انتشار الکترونیEpitaxy - اپیتاکسیMagnesium oxides - اکسید منیزیمNickel oxides - اکسید نیکلX-ray absorption spectroscopy - طیف سنجی جذب اشعه ایکسSilver - نقرهSurface electronic phenomena (work function, surface potential, surface states, etc.) - پدیده های الکترونیکی سطح (عملکرد کار، پتانسیل سطح، سطح سطح، و غیره)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The yield of secondary electrons emitted from an epitaxial three monolayer (3 ML) NiO(1 0 0)/Ag(1 0 0) film excited by soft X-ray linearly polarized synchrotron radiation at the Ni L2,3 absorption threshold has been measured for different values of the thickness of a MgO(1 0 0) capping layer. Compared with the as grown 3 ML NiO(1 0 0)/Ag(1 0 0) film, we observe a significant enhancement by about a factor 1.2 of the secondary electron emission for the capped 8 ML MgO(1 0 0)/3 ML NiO(1 0 0)/Ag(1 0 0) sample. A further substantial yield enhancement by a factor 1.6 with respect to the uncapped NiO sample is observed after deposition of an additional 8 ML MgO(1 0 0) film, for a total capping layer thickness of 16 ML. The observed secondary electron yield enhancement is discussed in terms of modified electronic structure, surface work function changes, and characteristic electron propagation lengths.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issue 2, 15 January 2010, Pages 181-185
Journal: Surface Science - Volume 604, Issue 2, 15 January 2010, Pages 181-185
نویسندگان
S. Altieri, M. Finazzi, H.H. Hsieh, H.-J. Lin, C.T. Chen, S. Valeri, L.H. Tjeng,