کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424635 | 1395831 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ellipsometric detection of GaAs(0 0 1) surface hydrogenation in H2 atmosphere
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Optical properties of MBE-grown GaAs(0 0 1) surfaces have been studied by spectroscopic ellipsometry under dynamic conditions of ramp heating and cooling after desorption of passivating As-cap-layer with low pressure H2 atmosphere (14 Torr) applied to the surface. The temperature dependence of GaAs pseudo-dielectric function with atomically smooth (0 0 1) surface carrying the fixed Ga-rich (4 Ã 2) reconstruction was obtained for the temperature range of 160-600 °C. It is shown ellipsometrically that GaAs(0 0 1) heating in the molecular hydrogen atmosphere results in the formation of hydrogenated layer on the surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 11, 1 June 2008, Pages 1933-1937
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 11, 1 June 2008, Pages 1933-1937
نویسندگان
A.V. Vasev,