کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424776 | 1395835 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of bismuth terminated InAs(1Â 0Â 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Deposition of Bi onto (4Â ÃÂ 2)/c(8Â ÃÂ 2)-InAs(1Â 0Â 0) and subsequent annealing results in a (2Â ÃÂ 6) surface reconstruction as seen by low electron energy diffraction. The Bi condensation eliminates the original (4Â ÃÂ 2) surface reconstruction and creates a new structure including Bi-dimers. This surface is metallic and hosts a charge accumulation layer seen through photoemission intensity near the Fermi level. The accumulation layer is located in the bulk region below the surface, but the intensity of the Fermi level structure is strongly dependent on the surface order.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 1, 1 January 2009, Pages 190-196
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 1, 1 January 2009, Pages 190-196
نویسندگان
Karolina Szamota-Leandersson, Mats Leandersson, PÃ¥l Palmgren, Mats Göthelid, Ulf O. Karlsson,