کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542482 | 871556 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Empirical bond order potential calculations of the elastic properties of epitaxial InGaSbAs layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we show the use of an optimally parameterized empirical potential of the Abell–Tersoff type and demonstrate that we can obtain a deep level of insight into the properties of the epitaxially grown quaternary alloy InGaAsSb. We find that the strain energy as a function of composition does not follow intuitive averages between the binary constituents and that the theoretical behaviour appears to be substantiated by experimental evidence of growth of InAs self-assembled quantum dots capped by GaSbAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 533–536
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 533–536
نویسندگان
V. Haxha, R. Garg, M.A. Migliorato, I.W. Drouzas, J.M. Ulloa, P.M. Koenraad, M.J. Steer, H.Y. Liu, M.J. Hopkinson, D.J. Mowbray,