کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542510 | 871556 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxides Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxides](/preview/png/542510.png)
چکیده انگلیسی
Ultra-thin single-crystalline Si-QW with epitaxial insulator (Gd2O3) as the barrier layers were grown by a novel approach based on cooperative vapor phase MBE on Si wafer with sharp interfaces between well and barriers. The current-voltage characteristics obtained for such structure exhibits negative differential resistance at lower temperature, making them a good candidate for resonant tunneling devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 633-637
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 633-637
نویسندگان
Apurba Laha, E. Bugiel, R. Dargis, D. Schwendt, M. Badylevich, V.V. Afanas'ev, A. Stesmans, A. Fissel, H.J. Osten,