کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425556 | 1395860 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of diffusion length on the nucleation of chemical vapour deposition diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Atomic steps have been suggested as preferential sites for nucleation. However, evidence from recent experiments on diamond growth using faceted sapphire as well as reconstructed silicon substrates shows that atomic steps alone do not always enhance nucleation in the chemical vapour deposition environment. The comparison of the diffusion length of the nucleation precursors and the width of the terraces between the surface steps provides further insights into this nucleation mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 24, 15 December 2007, Pages 5736-5739
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 24, 15 December 2007, Pages 5736-5739
نویسندگان
K.G. Saw,