کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425580 | 1395861 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reversible electromigration of thallium adatoms on the Si(1 1 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reversible electromigration of thallium adatoms on the Si(1 1 1) surface Reversible electromigration of thallium adatoms on the Si(1 1 1) surface](/preview/png/5425580.png)
چکیده انگلیسی
By means of low-energy electron diffraction (LEED), we found a reversible structural change of (1Ã1)â(3Ã3) on thallium (Tl) adsorbed Si(1Â 1Â 1) surfaces by switching the polarity of applied DC voltage for heating the sample. It was shown in the literature that Tl adatoms are located on the T4 sites of the bulk-terminated surface both in the (1Â ÃÂ 1) and (3Ã3). It is clarified that the structural change is caused by the electromigration of the Tl adatoms. Tl atoms migrate towards the cathode, being induced by the electric field (10-20Â V/cm). We discussed an atomic process of the electromigration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 15, 1 August 2006, Pages 189-193
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 15, 1 August 2006, Pages 189-193
نویسندگان
Anton Visikovskiy, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara,