کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425891 | 1395869 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface reactions and kinetically-driven patterning scheme for selective deposition of Si and Ge nanoparticle arrays on HfO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Self-assembly - خودآموزیSemiconductor–insulator interfaces - رابط نیمه هادی و مقرهChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییThermal desorption spectroscopy - طیف سنجی جذب حرارتیX-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسNucleation - هستهgermanium - ژرمانیوم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We demonstrate a kinetically-driven patterning scheme to selectively position arrays of Ge or Si nanoparticles within lithographically defined HfO2 windows. The surface reactions enabling patterning are revealed through temperature programmed desorption experiments and selectivity of the deposition is verified by X-ray photoelectron spectroscopy and scanning electron microscopy. Patterning is possible by exploiting the different reactivity of Ge and Si on HfO2 and SiO2 surfaces and employing a sacrificial SiO2 mask on which adatoms etch the SiO2 surface and do not accumulate to form nanocrystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 5, 1 March 2006, Pages 54-57
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 5, 1 March 2006, Pages 54-57
نویسندگان
Scott K. Stanley, Sachin V. Joshi, Sanjay K. Banerjee, John G. Ekerdt,