![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Strain relief: Mainspring of Ge semiconducting nanostructures growth on LaAlO3(0Â 0Â 1)
Keywords: رابط نیمه هادی و مقره; Lanthanum aluminate; High-κ dielectrics; Semiconductor-insulator interfaces; Germanium; Single crystal epitaxy;