کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595595 | 1507979 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
UHV-MOCVD growth of TiO2 on SiOx/Si(1Â 1Â 1): Interfacial properties reflected in the Si 2p photoemission spectra
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Titanium oxide - اکسید تیتانیوم Silicon oxides - اکسید سیلیکونSemiconductor–insulator interfaces - رابط نیمه هادی و مقرهChemical vapour deposition - رسوبات بخار شیمیاییGrowth - رشدSynchrotron radiation photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریک تابش SynchrotronAmorphous thin films - فیلم های نازک AmorphousModels of surface kinetics - مدل های سینتیک سطح
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Metal-organic chemical vapour deposition growth of titanium oxide on moderately pre-oxidised Si(1 1 1) using the titanium(IV) isopropoxide precursor has been studied for two different growth modes, reaction-limited growth at 300 °C and flux-limited growth at 500 °C. The interfacial properties have been characterized by monitoring synchrotron radiation excited Si 2p photoemission spectra. The cross-linking from oxidised Si to bulk Si after TTIP exposure has been found to be very similar to that of SiOx/Si(1 1 1). However, the results show that the additional oxidation of Si most probably causes a corrugation of the SiOx/Si interface. Those conclusions are valid for both growth modes. A model is introduced in which the amorphous interface region is described as (TiO2)x(SiO2)y where x and y changes linearly and continuously over the interface. The model quantifies how (TiO2)x(SiO2)y mixing changes the relative intensities of the signals from silicon oxide and silicon. The method can be generalised and used for the analyses of other metal-oxides on silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 580, Issues 1â3, 10 April 2005, Pages 207-217
Journal: Surface Science - Volume 580, Issues 1â3, 10 April 2005, Pages 207-217
نویسندگان
P.G. Karlsson, J.H. Richter, M.P. Andersson, J. Blomquist, H. Siegbahn, P. Uvdal, A. Sandell,