کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424690 | 1395833 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial stages of ZrO2 chemical vapor deposition on Si(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1) from zirconium tetra-tert-butoxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
High k dielectricsZirconium dioxide - دی اکسید زیرکونیومSemiconductor–insulator interfaces - رابط نیمه هادی و مقرهChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییsilicon - سیلیسیم Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریک تابش SynchrotronScanning tunnelling microscopy - میکروسکوپ تونلی اسکن کردن
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The initial stages of chemical vapor deposition of ZrO2 from zirconium tetra-tert-butoxide (ZTB) on Si(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1) have been studied by scanning tunnelling microscopy (STM) and synchrotron radiation excited photoelectron spectroscopy (PES). The STM images and core level (PES) spectra indicate that the predominant surface modifications induced by ZTB are due to silicon carbonization and formation of zirconium dioxide. The carbonization reaction leads to formation of subsurface carbon and two types of reconstructions are discussed: dimer vacancies and dimer vacancies in conjunction with a rotated surface Si-dimer. Indications for the formation of small amounts of zirconium silicide are also found. No evidence for silicon oxidation can be observed with PES, in contrast to the interface properties previously found after larger exposures to ZTB.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 10, 15 May 2008, Pages 1803-1809
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 10, 15 May 2008, Pages 1803-1809
نویسندگان
P.G. Karlsson, E. Göthelid, J.H. Richter, A. Sandell,