کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594982 | 1507961 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial stages of the epitaxial growth of Pr2O3 on Si(1Â 1Â 1) studied by LEED and STM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Molecular beam epitaxy - اپیتاکسی پرتو مولکولیSemiconductor–insulator interfaces - رابط نیمه هادی و مقرهGrowth - رشدSurface structure, morphology, roughness, and topography - ساختار سطح، مورفولوژی، زبری و توپوگرافیLow index single crystal surfaces - سطوح منفرد کریستال پایینScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی Nucleation - هستهLow energy electron diffraction (LEED) - پراش الکترونی پایین (LEED)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Initial stages of the epitaxial growth of Pr2O3 on Si(1Â 1Â 1) studied by LEED and STM Initial stages of the epitaxial growth of Pr2O3 on Si(1Â 1Â 1) studied by LEED and STM](/preview/png/9594982.png)
چکیده انگلیسی
The initial stages of the molecular beam epitaxy growth of Pr2O3 on atomically clean Si(1Â 1Â 1) have been studied in ultra-high vacuum by low energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy. At very low coverages, the oxide nuclei decorate the dimer rows of the silicon surface as line structure forming open triangles. At higher coverages, two-dimensional, equilateral, triangular islands with a fairly narrow size distribution and a well defined thickness are observed. Island nucleation occurs both at step edges and on the terraces. Upon coalescence at coverages beyond one monolayer, the surface is covered by a flat and pseudomorphic oxide film with a (1Â ÃÂ 1) surface unit cell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 598, Issues 1â3, 20 December 2005, Pages L347-L354
Journal: Surface Science - Volume 598, Issues 1â3, 20 December 2005, Pages L347-L354
نویسندگان
L. Libralesso, T. Schroeder, T.-L. Lee, J. Zegenhagen,