کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423919 | 1395807 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band alignment of SiO2/Si structure formed with nitric acid vapor below 500 °C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Silicon oxides - اکسید سیلیکونOxidation - اکسیداسیونSemiconductor–insulator interfaces - رابط نیمه هادی و مقرهsilicon - سیلیسیم X-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسmetal-oxide-semiconductor - فلز اکسید نیمه هادیInsulating films - فیلم های عایقNitric acid - نیتریک اسید، اسید نیتریک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A relatively thick (i.e., â¼9 nm) SiO2 layer can be formed by oxidation of Si with nitric acid (HNO3) vapor below 500 °C. In spite of the low temperature formation, the leakage current density flowing through the SiO2 layer is considerably low, and it follows the Fowler-Nordheim mechanism. From the Fowler-Nordheim plots, the conduction band offset energy at the SiO2/Si interface is determined to be 2.57 and 2.21 eV for HNO3 vapor oxidation at 500 and 350 °C, respectively. From X-ray photoelectron spectroscopy measurements, the valence band offset energy is estimated to be 4.80 and 4.48 eV, respectively, for 500 and 350 °C oxidation. The band-gap energy of the SiO2 layer formed at 500 °C (8.39 eV) is 0.68 eV larger than that formed at 350 °C. The higher band-gap energy for 500 °C oxidation is mainly attributable to the higher atomic density of the SiO2 layer of 2.46 Ã 1022/cm3. Another reason may be the absence of SiO2 trap-states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 7, 1 April 2009, Pages 968-972
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 7, 1 April 2009, Pages 968-972
نویسندگان
Kentarou Imamura, Masao Takahashi, Shigeki Imai, Hikaru Kobayashi,