کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542628 | 871564 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of analogue and RF integrated circuits by thermal measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents a novel technique for measuring the electrical characteristics of analogue circuits, based on measuring the temperature at the silicon surface close to the circuit under test. As a detailed example, the paper analyses how the gain of an amplifier can be observed through temperature measurements. Experimental results validate the feasibility of the technique. Simulated results show how this technique can be used to measure the bandwidth and central frequency of a 2.4 GHz low noise amplifier (LNA) designed in a 0.35 μm standard CMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 2, February 2007, Pages 151-156
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 2, February 2007, Pages 151-156
نویسندگان
D. Mateo, J. Altet, E. Aldrete-Vidrio,