کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426432 | 1395889 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-insulator transition in the In/Si(1 1 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The metal-insulator transition observed in the In/Si(1Â 1Â 1)-4Â ÃÂ 1 reconstruction is studied by means of ab initio calculations of a simplified model of the surface. Different surface bands are identified and classified according to their origin and their response to several structural distortions. We support the, recently proposed [C. González, J. Ortega, F. Flores, New J. Phys. 7 (2005) 100], combination of a shear and a Peierls distortions as the origin of the metal-insulator transition. Our results also seem to favor an electronic driving force for the transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3821-3824
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3821-3824
نویسندگان
S. Riikonen, A. Ayuela, D. Sánchez-Portal,