کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426840 | 1395908 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigating the lateral motion of SiGe islands by selective chemical etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SiGe islands grown by deposition of 10 monolayers of Ge on Si(0 0 1) at 740 °C were investigated by using a combination of selective wet chemical etching and atomic force microscopy. The used etchant, a solution consisting of ammonium hydroxide and hydrogen peroxide, shows a high selectivity of Ge over SixGe1âx and is characterized by relatively slow etching rates for Si-rich alloys. By performing successive etching experiments on the same sample area, we are able to gain a deeper insight into the lateral displacement the islands undergo during post growth annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 12, 15 June 2006, Pages 2608-2613
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 12, 15 June 2006, Pages 2608-2613
نویسندگان
G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Isella, H. von Känel, A.M. Bittner, J. Tersoff, U. Denker, O.G. Schmidt, G. Costantini, K. Kern,