کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426880 | 1395910 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth of SrTiO3 films on H-terminated Si(1 1 1) with SrO buffer layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Crystal growth of SrTiO3 films on H-terminated Si(1 1 1) with SrO buffer layers Crystal growth of SrTiO3 films on H-terminated Si(1 1 1) with SrO buffer layers](/preview/png/5426880.png)
چکیده انگلیسی
Growth of epitaxial SrTiO3 (STO) films has been examined on H-terminated Si(1 1 1) with SrO buffer layers. The epitaxial SrO buffer layers have reduced stress on H-terminated Si substrates. On the SrO buffer layers, the STO films grow epitaxially with triple domains at low temperature. Each STO domain has equivalent epitaxial relationship to SrO buffer layers, STO(1 1 0)â¥SrO(1 1 1) and STO[001]â¥SrO[11¯0].
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 3, 1 February 2006, Pages 724-728
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 3, 1 February 2006, Pages 724-728
نویسندگان
Y. Machida, H. Asaoka, H. Yamamoto, S. Shamoto,