کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542715 | 871569 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of thick film Ni(1−x)CoxMn2O4,(0⩽x⩽1) using overlay technique on thick film microstrip ring resonator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of thick film Ni(1−x)CoxMn2O4 in-touch overlay on the X band resonance characteristics of thick film microstrip ring resonator is studied. The thick film overlay decreases the resonance frequency and increases the peak output. From the frequency shift the dielectric constant of the thick film Ni(1−x)CoxMn2O4 has been calculated. For the first time Ag thick film microstrip ring resonator has been used to study thick film Ni(1−x)CoxMn2O4 in the X band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 11, November 2006, Pages 1302–1305
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 11, November 2006, Pages 1302–1305
نویسندگان
S.A. Kanade, Vijaya Puri,