کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
542735 871569 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantum size effect on excitons in zinc-blende GaN/AlN quantum dot
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quantum size effect on excitons in zinc-blende GaN/AlN quantum dot
چکیده انگلیسی

Within the framework of effective-mass approximation, exciton states confined in zinc-blende GaN/AlN quantum dot (QD) are investigated by means of a variational approach, including three-dimensional confinement of the electron and hole in the QD and finite band offsets. Numerical results show that the exciton binding energy and the interband emission energy are both decreased when QD height (or radius) is increased. Our theoretical results are in agreement with the experimental measurements.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 11, November 2006, Pages 1408–1411
نویسندگان
, ,