کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542783 | 871574 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Potentialities of substrate-thinning technique to control minority carrier injection in smart power IC's
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper deals with the evaluation of a substrate-thinning technique as a way to control the substrate current issues. A test structure has been realized on a Smart Power Technology. Comprehension of the phenomena has been validated thanks to TCAD simulation. This technique was then applied to a commercial IC and the authors show that they succeeded to reduce by one decade the collected current on a victim, although the IC has already been optimized with classical solutions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 8, August 2006, Pages 804-811
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 8, August 2006, Pages 804-811
نویسندگان
C. Lochot, J.P. Lainé, M. Bafleur, A. Cazarré, J. Tasselli,