کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543121 | 871631 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A complete and Verilog-A compatible Gate-All-Around long-channel junctionless MOSFET model implemented in CMOS inverters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we present the results of the implementation of a complete DC and AC Gate-All-Around (GAA) long-channel junctionless MOSFET model in Verilog-A code, which will be further used in commercial circuit simulators. The model in Verilog-A is integrated in the SmartSpice circuit simulator and tested in a CMOS inverter. Both p-channel and n-channel device models are validated. Also, the results are compared with data from 3D numerical simulations, showing a very good agreement in all transistors׳ operation regimes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 46, Issue 11, November 2015, Pages 1069–1072
Journal: Microelectronics Journal - Volume 46, Issue 11, November 2015, Pages 1069–1072
نویسندگان
Oana Moldovan, François Lime, Benjamin Iñiguez,