کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543478 | 871662 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of high voltage devices for ESD event simulation in SPICE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An ESD (electro-static-discharge) compact modeling methodology using a macro-modeling approach is introduced in this work for high voltage Lateral Double-diffused MOS (LDMOS) devices and new high-voltage protection clamps. The distinct characteristics of high voltage devices during high current/fast transient events are modeled without introducing convergence problems in ESD simulations for complex high voltage mixed-signal applications. The LDMOS ESD model consists of a sub-circuit that is built on top of the standard high-voltage MOS model (MOS20). The high voltage clamps, consisting of thyristor-type devices, are modeled using advanced bipolar junction transistor models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 43, Issue 5, May 2012, Pages 305–311
Journal: Microelectronics Journal - Volume 43, Issue 5, May 2012, Pages 305–311
نویسندگان
Yuanzhong (Paul) Zhou, Javier A. Salcedo, Jean-Jacques Hajjar,