کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543833 | 871688 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs](/preview/png/543833.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, the switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs is investigated for the first time and compared with a conventional vertical DMOSFET (VDMOSFET). It is shown that measurements of the different capacitances and the gate charge of the two devices are comparable. A 2D simulation study of two equivalent structures (i.e. FLYMOSFET and VDMOSFET exhibiting the same breakdown voltage) confirms that floating islands did not cause parasitic or new phenomenon, in the case of weakly doped islands.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 6, June 2008, Pages 914–921
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 6, June 2008, Pages 914–921
نویسندگان
L. Théolier, K. Isoird, H. Tranduc, F. Morancho, J. Roig, Y. Weber, E.N. Stefanov, J.-M. Reynès,