کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5438815 | 1398188 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ferroelectricity in ultrathin yttrium-doped hafnium oxide films prepared by chemical solution deposition based on metal chlorides and alcohol
ترجمه فارسی عنوان
فرایند الکتریکی در فیلم های اکسید هافنیوم اتریتی آلترودین ساخته شده توسط رسوب شیمیایی محلول بر اساس کلرید و الکل فلز
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
We suggest a facile way to prepare precursor solutions with metal salts and alcohol and fabricate ultrathin ferroelectric yttrium-doped hafnium oxide films on Pt(111)/TiO2/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition and post-annealing treatment. The samples were prepared with 5.2 mol% yttrium-doping and had a thickness ranging from 3 nm to 9 nm. We also varied the post-annealing temperature from 600 °C to 800 °C. The ultrathin films were characterized by transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy. Their local ferroelectric properties were investigated by piezoresponse force microscopy (PFM) for domain imaging and polarization switching at nanoscale.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 43, Supplement 1, August 2017, Pages S158-S161
Journal: Ceramics International - Volume 43, Supplement 1, August 2017, Pages S158-S161
نویسندگان
Seonhyoung Kim, Jongin Hong,