کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543995 | 871698 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of silicon field-emission arrays using masks of amorphous hydrogenated carbon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A fabrication process of silicon field-emission arrays is reported, in which thin films of amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) are employed as masks in a two-step plasma-etching process, using pure SF6 and a mixture of SF6 and O2. In comparison with processes that involve SiO2 masks, the use of a-C:H improved the selectivity of the plasma etching, particularly in the case of pure SF6. An estimation of Utsumi's figure of merit showed that a significant enhancement in electric field can be achieved, as a result of the sharp tips fabricated through this process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 1, January 2007, Pages 31–34
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 1, January 2007, Pages 31–34
نویسندگان
D.F. Takeuti, M.N. Tirolli, C.L. Danieli, M.A.R. Alves, E.S. Braga, P.H.L. de Faria,