کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5440130 | 1509983 | 2016 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of irradiation-induced defects on SiC dissolution in hot water
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An enhancement of the dissolution of high-purity 3C-SiC in hot water (320 °C, 20 MPa: relevant to the light-water reactor coolant condition) is demonstrated after 5.1 MeV Si-ion irradiation. Optical spectrometry and Kelvin force microscopy revealed the creation of interband-defect localized states within the bandgap. The dissolution rate was found to be dependent on the irradiation fluence, irradiation-induced volume expansion, and the photoluminescence quenching. An annealing study showed prevention of irradiation-enhanced dissolution with the recovery of most defects. These results show that the dissolution rates of irradiated SiC are increased with the population of irradiation-induced defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Corrosion Science - Volume 112, November 2016, Pages 402-407
Journal: Corrosion Science - Volume 112, November 2016, Pages 402-407
نویسندگان
Sosuke Kondo, Shinichiro Mouri, Yoshihiro Hyodo, Tatsuya Hinoki, Fumihisa Kano,