کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5441104 | 1510376 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of annealing temperature upon the structure of a-Si:H/c-Si thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Molecular dynamics simulations of a-Si:H/c-Si thin films annealing at different temperature have been carried out. An extended Tersoff potential is used to describe the Si-Si, Si-H and H-H atomic interactions. The results showed that, annealing treatment makes the structure of a-Si:H films more compact and orderly. The total hydrogen content decreasing persistently as the annealing temperature increasing just like theoretical prediction, however, the hydrogen content of interface region increases firstly and then decreases. The maximum H content is corresponding to the annealing temperature of about 500Â K. This variation tendency of H content in the vicinity of the interface region can well explain the experimental results of minority carrier lifetime variation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 471, 1 September 2017, Pages 379-383
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 471, 1 September 2017, Pages 379-383
نویسندگان
Yaorong Luo, Xiaoxiao Sui, Yuping He, Haibin Huang, Naigen Zhou, Lang Zhou,