کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544173 | 871716 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Feasible approach to the fabrication of asymmetric Schottky barrier MOSFETs by using the spacer technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The spacer technique is proposed for the fabrication of the Asymmetric Schottky Barrier MOSFETs (ASB-MOSFET). The characteristics of the 45 nm and the 20 nm n-channel ASB-MOSFETs, which adopt a Schottky barrier height of 0.9 eV at source and that of 0.2 eV at drain, have been simulated and discussed by the comparisons with the conventional Schottky Barrier MOSFETs (SB-MOSFET). With a higher Ion/Ioff ratio, the ASB-MOSFET structure has shown a better performance than the conventional SB-MOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 4, April 2006, Pages 332–335
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 4, April 2006, Pages 332–335
نویسندگان
L. Sun, D.Y. Li, X.Y. Liu, R.Q. Han,