کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
544173 871716 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Feasible approach to the fabrication of asymmetric Schottky barrier MOSFETs by using the spacer technique
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Feasible approach to the fabrication of asymmetric Schottky barrier MOSFETs by using the spacer technique
چکیده انگلیسی

The spacer technique is proposed for the fabrication of the Asymmetric Schottky Barrier MOSFETs (ASB-MOSFET). The characteristics of the 45 nm and the 20 nm n-channel ASB-MOSFETs, which adopt a Schottky barrier height of 0.9 eV at source and that of 0.2 eV at drain, have been simulated and discussed by the comparisons with the conventional Schottky Barrier MOSFETs (SB-MOSFET). With a higher Ion/Ioff ratio, the ASB-MOSFET structure has shown a better performance than the conventional SB-MOSFETs.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 4, April 2006, Pages 332–335
نویسندگان
, , , ,