کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5441744 | 1510678 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excimer laser annealing: An alternative route and its optimisation to effectively activate Si dopants in AlN films grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 97, January 2018, Pages 300-305
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 97, January 2018, Pages 300-305
نویسندگان
Kankat Ghosh, Pratik Busi, Sudipta Das, Jaswant Singh Rathore, Apurba Laha,