کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5447841 | 1511765 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Substrate influence on preferential orientation of Bi2Te3 layers grown by physical vapor transport using elemental Bi and Te sources
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Substrate influence on preferential orientation of Bi2Te3 layers grown by physical vapor transport using elemental Bi and Te sources Substrate influence on preferential orientation of Bi2Te3 layers grown by physical vapor transport using elemental Bi and Te sources](/preview/png/5447841.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 341-345
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 341-345
نویسندگان
Omar Concepción DÃaz, Osvaldo de Melo Pereira, Arturo Escobosa EchavarrÃa,