کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5447841 | 1511765 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Substrate influence on preferential orientation of Bi2Te3 layers grown by physical vapor transport using elemental Bi and Te sources
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 341-345
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 341-345
نویسندگان
Omar Concepción DÃaz, Osvaldo de Melo Pereira, Arturo Escobosa EchavarrÃa,