کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5449114 | 1512521 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Active layer position optimization in asymmetric AlGaInAs/AlGaAs semiconductor laser diode structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In semiconductor lasers design, asymmetric structure can be used to improve laser characteristics. In this paper we proposed asymmetric AlGaInAs/AlGaAs structure for 808Â nm laser diode to increase the n-cladding layer effect in beam propagation. In our proposed design, the active layer position in waveguide region was optimized for obtaining maximum optical power and minimum threshold current. The results show that the active layer position in waveguide related linearly to the asymmetric parameter. The results also show that in compare with usual structure, our proposed asymmetric structure can enhance the optical fiber coupling efficiency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 402, 1 November 2017, Pages 624-629
Journal: Optics Communications - Volume 402, 1 November 2017, Pages 624-629
نویسندگان
Seyed Peyman Abbasi, Mohammad Hossein Mahdieh,