کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5449326 | 1512526 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of light emission performance of pseudoheterostructure diode based on germanium micro-bridge
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل عملکرد انتشار نور دیود شبه ساختار بر اساس میکرو پل پلکسی گارنیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ژرمانیوم، دیود شبه ساختار جذب باند بینایی، منبع انتشار نور،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We present an electrically driven pseudoheterostructure diode based on germanium micro-bridge structure, and investigate the electrical transport, internal quantum efficiency and transparency current density of the diode. The effects of injected carrier density and uniaxial tensile strain on intervalence band absorption is also discussed. The injected carrier is well confined in the diode with uniaxial strain around 4%. An internal quantum efficiency around 9% and transparency current density of 5.8kA/cm2 can be obtained with doping density of 5Ã1018cmâ3 and transparency carrier density of 2Ã1018cmâ3 when uniaxial tensile strain is 4%. The result indicates the pseudoheterostructure diode based on the Ge micro-bridge can be used to realize an efficient electrically driven Si-based light emission source.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 397, 15 August 2017, Pages 153-160
Journal: Optics Communications - Volume 397, 15 August 2017, Pages 153-160
نویسندگان
Yang Zhou, Junqiang Sun, Jialin Jiang, Ruiwen Zhang, Jianfeng Gao, Heng Zhou,