کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5449561 | 1512528 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of all-optical memory cell using EIT and lasing without inversion phenomena in optical micro ring resonators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The proposed design of the optical memory unit cell contains dual micro ring resonators in which the effect of lasing without inversion (LWI) in three-level nano particles doped over the optical resonators or integrators as the gain segment is used for loss compensation. Also, an on/off phase shifter based on electromagnetically induced transparency (EIT) in three-level quantum dots (QDs) has been used for data reading at requested time. Device minimizing for integrated purposes and high speed data storage are the main advantages of the optical integrator based memory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 395, 15 July 2017, Pages 241-248
Journal: Optics Communications - Volume 395, 15 July 2017, Pages 241-248
نویسندگان
N. Pasyar, R. Yadipour, H. Baghban,