کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5449634 1512531 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An extending broadband near-infrared absorption of Si-based deep-trench microstructures
ترجمه فارسی عنوان
یک پهنای باند مجهز به مادون قرمز جذب میکرو سازه های عمیق تر بر پایه سی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We design and investigate numerically a Si-based deep-trench microstructure covered with continuous thin gold (Au) films. It breaks through the absorption limitation of Si material and greatly extends the near-infrared (NIR) absorption range to 1500 nm. By the simulated distributions of electric-field intensity, we observe clearly the excitation of surface plasmon polaritons and the standing wave resonance of plasmon cavity formed inside the deep trench, by which we explain the extending broadband NIR absorption well. We further discuss the influence of trench depth on the cavity mode and NIR absorption in detail. By combination of the proposed microstructures, it is a promising approach to realize an extending broadband and high NIR photoresponse in Si-based detectors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 392, 1 June 2017, Pages 59-63
نویسندگان
, , , , , ,