کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5449734 | 1512536 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Terahertz transport dynamics in the metal-insulator transition of V2O3 thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dynamic behavior of thermally-induced metal-insulator transition of V2O3 thin film on Si substrate grown by reactive magnetron sputtering was investigated by the terahertz time-domain spectroscopy. It was found that the THz absorption and optical conductivity of the thin films are temperature-dependent, and the THz amplitude modulation can reach as high as 74.7%. The complex THz optical conductivity in the metallic state of the V2O3 thin films can be well-fitted by the Drude-Smith model, which offer the insight into the electron transport dynamic during the metal-insulator transition of the thin film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 387, 15 March 2017, Pages 385-389
Journal: Optics Communications - Volume 387, 15 March 2017, Pages 385-389
نویسندگان
Y.Y. Luo, F.H. Su, C. Zhang, L. Zhong, S.S. Pan, S.C. Xu, H. Wang, J.M. Dai, G.H. Li,