کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5452345 | 1513727 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical transportation and piezotronic-effect modulation in AlGaN/GaN MOS HEMTs and unpassivated HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present empirical evidence that SiO2/AlGaN/GaN MOS HEMTs outperform the unpassivated AlGaN/GaN HEMTs with DC performances. The piezotronic effect is then introduced to modulate the drain current of HEMTs by applying external stresses on the devices effectively. This study provides in-depth comprehension into working principle of the piezotronic effect modulating physical properties of 2DEG in AlGaN/GaN hetero structures as well as guidance for the potential application in HEMT and MEMS/NEMS devices.150
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 39, September 2017, Pages 53-59
Journal: Nano Energy - Volume 39, September 2017, Pages 53-59
نویسندگان
Ting Liu, Chunyan Jiang, Xin Huang, Chunhua Du, Zhenfu Zhao, Liang Jing, Xiaolong Li, Shichao Han, Jiangman Sun, Xiong Pu, Junyi Zhai, Weiguo Hu,