کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5453024 1513871 2018 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy
چکیده انگلیسی
Self-preserving height distribution of a set of GaN nanowires.120
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 141, January 2018, Pages 341-352
نویسندگان
, ,