کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5453024 | 1513871 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Self-preserving height distribution of a set of GaN nanowires.120
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 141, January 2018, Pages 341-352
Journal: Computational Materials Science - Volume 141, January 2018, Pages 341-352
نویسندگان
K.K. Sabelfeld, E.G. Kablukova,