کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5453024 | 1513871 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy Stochastic model and simulation of growth and coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy](/preview/png/5453024.png)
چکیده انگلیسی
Self-preserving height distribution of a set of GaN nanowires.120
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 141, January 2018, Pages 341-352
Journal: Computational Materials Science - Volume 141, January 2018, Pages 341-352
نویسندگان
K.K. Sabelfeld, E.G. Kablukova,