کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545452 | 1450554 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between EOS customer return failure cases and Over Voltage Stress (OVS) test method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
For the last 30 years, the electronic industry made many efforts to reduce ESD failure rates. Consequently EOS failure rate can be the dominant one. Concerned by zero defect program and EOS failure rate from customer complaints, NXP Semiconductors defined a new test method called Over Voltage Stress (OVS) that is able to reproduce EOS failure, to define product Absolute Maximum Ratings (AMR) and also to improve IC robustness against EOS events.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 952–957
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 952–957
نویسندگان
Jean Luc Lefebvre, Christian Gautier, Frédéric Barbier,