کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545477 | 1450554 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Percolation theory applied to PZT thin films capacitors breakdown mechanisms
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) mechanisms remain the key issue to understand in order to enhance the reliability of new capacitors technologies. In this work we tried to model capacitors failure mechanism according to percolation theory, in agreement with the statistical behavior of PZT capacitors times to breakdown (tbd). The role of microstructural defects such as interlayers and cavities in failure mechanism has been emphasized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1074–1078
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1074–1078
نویسندگان
M.T. Chentir, J.-B. Jullien, B. Valtchanov, E. Bouyssou, L. Ventura, C. Anceau,