کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545489 | 1450554 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical modeling of the effect of beam profile for pulsed laser fault injection
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a detailed simulation-based analysis of the influence of the laser spot shape and size on the parametric and logical transient errors that can be injected into a digital device. The effect of the impact of a Gaussian laser beam is simulated at the electrical level for different pulse durations. Results illustrate the complex interaction between the electrical function and the laser perturbation, with potential implications for secure circuit design.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1143–1147
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1143–1147
نویسندگان
C. Godlewski, V. Pouget, D. Lewis, M. Lisart,